在SiO ₂ / Si晶片上的兩層CVD石墨烯薄膜

石墨烯薄膜的特性：

將兩層單層CVD石墨烯膜轉移  到285nm p摻雜的SiO ₂ / Si晶片上 

尺寸：1cmx1cm; 4包

將每個石墨烯膜連續轉移到晶片上

我們的石墨烯薄膜的厚度和質量由拉曼光譜控制

該產品的石墨烯覆蓋率約為98％

石墨烯薄膜是連續的，具有小孔和有機殘留物

每個石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有小的多層島（低于5％的雙層）

每個石墨烯膜是多晶的，即它由具有不同結晶取向的晶粒組成

沒有AB堆疊訂單。石墨烯膜相對于彼此隨機取向

薄層電阻：215-700Ω/平方

硅/二氧化硅晶片的特性：

氧化層厚度：285nm

顏色：紫羅蘭色

晶圓厚度：525微米

電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米

型號/摻雜劑：P /硼

方向：<100>

前表面：拋光

背面：蝕刻

應用：

石墨烯電子和晶體管

導電涂料

航空航天工業應用

支持金屬催化劑

微執行器

MEMS和NEMS

化學和生物傳感器

基于石墨烯的多功能材料

石墨烯研究

我們的石墨烯薄膜使用PMMA輔助轉移方法制造。

有關詳細信息，請參閱以下參考。

學術參考/閱讀更多

石墨烯生長

在銅箔上大面積合成高質量和均勻的石墨烯薄膜科學2009年6月5日：Vol。324.沒有。5932，pp.1312 - 1314

石墨烯轉移

用于高性能透明導電電極的大面積石墨烯薄膜的轉移，Li et.al.，Nano Lett。，2009,9（12），pp 4359-4363

走向清潔和無裂縫轉移石墨烯Liang et.al.，ACS Nano，2011,5（11），pp 9144-9153